出自:集成电路制造工艺员

用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。
A:pn结理论
B:欧姆定律
C:库仑定律
D:四探针技术
工艺文件的电子文档化要注意哪些问题？怎样才能保证工艺文件的电子文档是安全可靠的？
什么是焊粉？常用焊粉的金属成分会对温度特性及焊膏用途产生什么样的影响？
离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。
A:电极
B:分析器
C:加速器
D:腔体
显像管由哪几部分组成？显像管是如何分类的？
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
A:等离子体刻蚀
B:反应离子刻蚀
C:湿法刻蚀
D:溅射刻蚀
在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
A:晶圆顶层的保护层
B:多层金属的介质层
C:多晶硅与金属之间的绝缘层
D:掺杂阻挡层
E:晶圆片上器件之间的隔离
关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。
A:负胶的感光区域溶解
B:正胶的感光区域溶解
C:负胶的感光区域不溶解
D:正胶的感光区域不溶解
E:负胶的非感光区域溶解
选用电声元件时应注意哪些问题？
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A:栅氧化层
B:沟槽
C:势垒
D:场氧化层
射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。
A:投影射程
B:射程纵向分量
C:射程横向分量
D:有效射程
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
A:选择性
B:均匀性
C:轮廓
D:刻蚀图案
为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）
A:18.3A
B:13.8A
C:11A
D:9.2A
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。
A:再分布
B:等表面浓度扩散
C:预淀积
D:等总掺杂剂量扩散
树脂的外形为（）的球状颗粒。
A:淡黄色或褐色
B:黑色或棕色
C:淡红色或褐色
D:淡蓝色或棕色
沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
A:不会影响成品率
B:晶圆缺陷
C:成品率损失
D:晶圆损失
He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。
A:活跃杂质
B:快速扩散杂质
C:有害杂质
D:扩散杂质
当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（）。
A:t2成正比
B:t2成反比
C:t成正比
D:t成反比
电子工艺技术人员的工作范围是哪些？
试叙述SMT维修工作站的配置及用途。
为什么要使用助焊剂？对助焊剂的要求有哪些？
试写出下列SMC元件的长和宽（毫米）：1206、0805、0603、0402
从电极的结构看，溅射的方法包括（）。
A:直流溅射
B:交流溅射
C:二级溅射
D:三级溅射
E:四级溅射
试默写出色标法的色码定义。黑、棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、金、银、无色
离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
A:砷化氢
B:二硼化氢
C:四氟化硅
D:三氟化磷
E:五氟化磷
请对贴片机的四种工作类型进行分析和对比是什么？
半导体硅常用的受主杂质是（）。
A:锡
B:硫
C:硼
D:磷
硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。
A:粒子的扩散
B:化学反应
C:从气体源通过强迫性的对流传送
D:被表面吸附
什么是工艺？电子工艺学的研究领域是哪些？
下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
A:硼
B:锡
C:锑
D:磷
E:砷
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