在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A:栅氧化层
B:沟槽
C:势垒
D:场氧化层
出自：集成电路制造工艺员

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