出自:集成电路制造工艺员

用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。
A:蒸镀
B:离子注入
C:溅射
D:沉积
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
A:涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B:涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C:涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D:前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
A:光刻胶
B:衬底
C:表面硅层
D:扩散区
E:源漏区
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A:生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B:生长的二氧化硅干燥
C:生长的二氧化硅结构致密
D:生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E:生长的二氧化硅掩蔽能力强
在新一代的CMP中，有使用（）磨料在金属表面上形成软质皮膜并加以去除的趋势。
A:二氧化锰
B:铝
C:氧化铬
D:金刚石
扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
A:内部的杂质分布
B:表面的杂质分布
C:整个晶体的杂质分布
D:内部的导电类型
E:表面的导电类型
请说明再流焊工艺焊料的供给方法。
涂敷贴片胶有几种方法？请详细说明。
试说明下列SMC元件的含义：3216C，3216R。
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
A:入射离子的能量
B:入射离子的质量
C:入射离子的原子序数
D:靶原子的质量、原子序数、原子密度
E:注入离子的总剂量
电原理图的绘制有哪些注意事项？
焊锡膏在管理和使用时应注意哪些问题？
试分析表面安装元器件有哪些显著特点。
已知电阻上色标排列次序如下，试写出各对应的电阻值及允许偏差：“橙白黄金”、“棕黑金金”、“绿蓝黑棕棕”、“灰红黑银棕”
什么时候才可以进行通电检查？为什么？
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
A:干氧氧化
B:湿氧氧化
C:水汽氧化
D:与氧化方法无关
下列材料中电阻率最低的是（）。
A:铝
B:铜
C:多晶硅
D:金
试简述表面安装技术的产生背景是什么？
局域网中使用中继器的作用是（）。
A:可以实现两个以上同类网络的联接
B:可以实现异种网络的互连
C:实现信号的收集、缓冲及格式的变换
D:实现传递信号的放大和整形
当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。
A:非晶层
B:单晶层
C:多晶层
D:超晶层
在各种离子源常用的放电方式中，EOS是指有（）。
A:电子振荡放电
B:离子自动放电
C:低电压弧光放电
D:双等离子电弧放电
电子产品的设计文件有哪些种类？各起什么作用？可以按文件的样式将设计文件分为三大类：文字性文件、表格性文件和工程图。
如何选择烙铁头的形状？总结使用烙铁的技巧。
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
A:CA光刻胶对深紫外光吸收小
B:CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C:CA光刻胶在显影液中的可溶性强
D:有较高的光敏度
E:有较高的对比度
试说明发光二极管的结构和工作原理。发光二极管的特征参数和极限参数有哪些？
恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。
A:源蒸气
B:杂质和惰性气体混合物
C:水蒸气和杂志混合物
D:杂质、惰性气体、水蒸气混合物
请说明SMT中元器件贴片机的主要结构是什么？
化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。
A:LVD
B:PED
C:CVD
D:PVD
清洁处理主要使用的是（）。
A:水
B:有机溶剂
C:碱
D:酸
E:盐酸
如何进行焊接前镀锡？有何工艺要点？
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