干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A:生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B:生长的二氧化硅干燥
C:生长的二氧化硅结构致密
D:生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E:生长的二氧化硅掩蔽能力强
出自：集成电路制造工艺员

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