出自:集成电路制造工艺员

在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
A:长度
B:深度
C:宽度
D:表面平整度
干簧继电器和电磁式继电器相比有哪些特点？
锡焊必须具备哪些条件？
电气测量仪表若按照电流的种类来分，有（）。
A:低压仪表
B:高压仪表
C:直流仪表
D:交流仪表
E:交直流仪表
请说明电动式扬声器和压电陶瓷扬声器的主要特点是什么？
半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
A:氧化
B:改变导电类型
C:涂层
D:改变材料性质
E:镀膜
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A:n型掺杂区
B:P型掺杂区
C:栅氧化层
D:场氧化层
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。
A:埋层
B:外延
C:PN结
D:扩散电阻
E:隔离区
电阻器如何命名？
（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。
A:Cl2
B:BCl3
C:CO2
D:H2
下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
A:投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高
B:接触式的分辨率优于接近式
C:接近式的分辨率受到衍射的影响
D:投影式曝光系统中不会产生衍射现象
E:投影式曝光是目前采用的主要曝光系统
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A:红外线辐射
B:X射线照射
C:加热
D:紫外光辐射
E:电子束扫描
功率器件典型的安装方式有哪些？
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
A:分凝度
B:固溶度
C:分凝系数
D:扩散系数
电阻器如何分类？电阻器的主要技术指标有哪些？
二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
A:比色法
B:双光干涉法
C:椭圆偏振光法
D:腐蚀法
E:电容-电压法
浸焊机是如何分类的？各类的特点是什么？
请总结杯形焊件的焊接方法，并焊一件香蕉插头表笔线。
在直流二极管辉光放电系统的玻璃管中，自由电子在碰撞氩原子之前可运动的平均距离又叫（）。
A:平均运动范围
B:平均速度
C:平均碰撞距离
D:平均自由程
在半导体器件制造中，对清洗用水的纯度有比较高的要求，要用经过纯化的（）作为清洁用水。
A:蒸馏水
B:自来水
C:去离子水
D:矿泉水
在对层间绝缘膜进行CMP时，层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化（）。
A:电路图形结构的凹凸
B:尺寸大小
C:位置分布
D:高度
E:密集程度
在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
A:耐热陶瓷器皿
B:金属器皿
C:石英舟
D:玻璃器皿
请列举其它的焊接方法。
干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。
A:稍高于
B:大大于
C:等于
D:没有要求
在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。
A:乙醇
B:HCL
C:H2SO4
D:HNO3
半导体硅常用的施主杂质是（）。
A:锡
B:硫
C:硼
D:磷
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A:4～6h
B:50min～2h
C:10～40min
D:5～10min
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。
A:结晶形态
B:非结晶形态
C:可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
D:以上都不对
数字集成电路的电源滤波应该如何进行？为什么要滤波？
对焊点质量有何要求？简述不良焊点常见的外观以及如何检查。
首页 <上一页 4 5 6 7 8 下一页> 尾页