晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A:n型掺杂区
B:P型掺杂区
C:栅氧化层
D:场氧化层
出自：集成电路制造工艺员

提示：
同一【IP】的非会员用户每天可免费获取10次答案

收藏本站【zk.995w.com】，下次访问不迷路

本站试题总数:【10249282】个 (题库试题定时更新)