出自:半导体芯片制造工

引线焊接有哪些质量要求？
什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
人们规定：（）电压为安全电压.
A:36伏以下
B:50伏以下
C:24伏以下
在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？
什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。
A:接触
B:接近式
C:投影
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。
画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
下列材料属于N型半导体是（）。
A:硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）
B:硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）
C:砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）
D:砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）
A:干氧
B:湿氧
C:水汽氧化
D:不能确定哪个使用的时间长
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？
常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A:热塑性树脂
B:热固性或橡胶型胶粘剂
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
A:预
B:再
C:选择
Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
A:盐酸
B:硫酸
C:硝酸
D:氢氟酸
最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。
目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。（）
根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？
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