出自:半导体芯片制造工

全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。
下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）
A:单基极条图形
B:双基极条图形
C:基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D:梳状结构
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。
A:小于0.1mm
B:0.5～2.0mm
C:大于2.0mm
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
双极晶体管的高频参数是（）。
A:hFEVces
B:BVce
C:ftfm
钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。
对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。
简述几种常用的氧化方法及其特点。
位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。
A:多晶硅
B:氮化硅
C:二氧化硅
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
A:能量
B:剂量
厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（），氮化铝（A1N）陶瓷。
双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
A:基区宽度
B:外延层厚度
C:表面界面状态
常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
A:刻制图形
B:绘制图形
C:制作图形
半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外壳应有小的（），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。
A:热阻
B:阻抗
C:结构参数
溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
A:电子
B:中性粒子
C:带能离子
塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。
A:准备工具
B:准备模塑料
C:模塑料预热
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
A:高斯函数
B:余误差函数
C:指数函数
D:线性函数
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
A:能量
B:剂量
白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。
浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
射频放电与直流放电相比有何优点？
在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
硅外延生长工艺包括（）。
A:衬底制备
B:原位HCl腐蚀
C:生长温度，生长压力，生长速度
D:尾气的处理
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