出自:集成电路制造工艺员

设计电子产品生产的工艺布局应考虑哪些因素？
解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
A:加强工艺操作
B:加强人体和环境卫生
C:使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D:采用HCl氧化工艺
E:硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹
TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。
A:应用层
B:网络层
C:物理层
D:传输层
下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。
A:Na
B:B
C:P
D:As
哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。
A:低温注入
B:常温注入
C:高温注入
D:分子注入
E:双注入
常用的电容器有哪几种？它们的特点如何？
试叙述SMT印制板再流焊的工艺流程。
离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。
A:砷化氢
B:二硼化氢
C:三氟化硼
D:硅烷
E:氧气
试总结焊接的分类及应用场合是什么？
下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。
A:显影液的温度
B:显影液的浓度
C:显影液的溶解度
D:显影液的化学成分
试简述电感器的应用范围、类型、结构。
请总结电烙铁的分类及结构是什么？
我们可以从测量去离子水的酸度来判别阴阳树脂谁先失效，阴树脂先失效，水呈（）性。
A:酸
B:碱
C:弱酸
D:弱碱
磁性材料分为哪两类？铁氧体磁性材料的性能如何？铁氧体磁性材料有哪些性能指标？
ESD产生（）种不同的静电总类。
A:1
B:4
C:3
D:2
试叙述老化筛选的原理，作用及方法。“电解电容器在使用前经过一年的存储时间，就可以达到自然老化”，这句话对吗？
离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。
A:分析器
B:扫描器
C:加速器
D:偏转器
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A:ARC可以是硅的氮化物
B:可用干法刻蚀除去
C:ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D:ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E:ARC膜也可以通过CVD的方法形成
请简述电子工程图的分类是什么？
通常选熔断器熔断电流为电路额定电流的（）。
A:1～1.8倍
B:1.3～1.8倍
C:1.3～2.1倍
D:1.5～2.3倍
叙述什么叫浸焊，什么叫波峰焊？
属于铝的性质有（）。
A:电阻低
B:抗电迁移特性好
C:对硅氧化物有很好的黏合性
D:有很高的纯度
E:易于光刻
由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂质离子，又可以将失效树脂进行处理，恢复交换能力，所以称为（）反应。
A:置换
B:化学
C:不可逆
D:可逆
买来的新树脂往往是Na型或Cl型，新树脂使用前必须分别用酸（阳树脂），碱（阴树脂）浸泡约（）个小时，把Na型或Cl型转换成H型或OH型。
A:3
B:4
C:5
D:6
试叙述SMD集成电路的封装形式。并注意收集新出现的封装形式。
电流通过导线时，在导线里因电阻损耗而产生热量，导线的温度就会升高。导线的温度与下列哪项因素无关（）。
A:通过的电流值
B:周围环境的温度
C:散热条件
D:导线长度
在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。
A:热空气对流法
B:真空热平板传导法
C:红外线辐射法
D:射频感应加热法
如何合理选用电烙铁？
请用四色环标注出电阻：6.8kΩ±5％，47Ω±5％。
以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
A:单晶硅
B:多晶硅
C:硅化金属
D:二氧化硅
E:氮化硅
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