下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
A:ARC可以是硅的氮化物
B:可用干法刻蚀除去
C:ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成
D:ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层
E:ARC膜也可以通过CVD的方法形成
出自：集成电路制造工艺员

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