出自:半导体芯片制造工

单相3线插座接线有严格规定（）
A:“左零”“右火”
B:“左火”“右零”
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（）半导体、（）半导体、固溶半导体三大类。
在半导体制造工艺中往往把减薄、划片、分片、装片、内引线键合和管壳封装等一系列工艺称为（）。
简述几种典型真空泵的工作原理。
大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。
简述硼和磷的退火特性。
厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。（）
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）
A:焊接电流、焊接电压和电极压力
B:焊接电流、焊接时间和电极压力
C:焊接电流、焊接电压和焊接时间
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。
设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。（）
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
反应离子腐蚀是（）。
A:化学刻蚀机理
B:物理刻蚀机理
C:物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
集成电容主要有哪几种结构？
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）
在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。
简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（）设计也包含在这三部分中间。
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
衬底清洗过程包括哪几个步骤？
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
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