出自:半导体芯片制造工

属于绝缘体的正确答案是（）。
A:金属、石墨、人体、大地
B:橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C:硅、锗、砷化镓、磷化铟
D:各种酸、碱、盐的水溶液
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A:高斯
B:余误差
C:指数
说明影响氧化速率的因素。
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？
简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。（）
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）
什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：
A:逻辑设计
B:物理设计
C:电路设计
D:系统设计
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。（）
什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。
半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
什么叫晶体缺陷？
离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
变容二极管的电容量随（）变化。
A:正偏电流
B:反偏电压
C:结温
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们最基本的区别是什么？
在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。
A:80％～90％
B:10％～20％
C:40％-50％
从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A:掩膜版
B:扩散
C:光刻
首页 <上一页 1 2 3 4 5 下一页> 尾页