乐山师范学院数学教育

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下列广义积分中,收敛的是( )。 A.∫1/√x dx B.∫1/√x dx C.∫1/x dx D.∫1/x dx

锥面 z被柱面z=2x 所截部分的面积是( )。 A.2π B. √ 2π C.2√ 2π D.3√ 2π

级数为( )级数。 A. 收敛 B. 绝对收敛 C. 条件收敛 D. 发散

下列反常积分收敛的是( )。 A.∫1/x dx B.∫lnx/x dx C.∫cosx dx D.∫xe dx

已知f(1/x)=x+√1+x2 ,f (x) = ( ) A.1+√1+x2/|x| B.1*√1+x2/|x| C.1/x+√1+x2/|x| D.1/x*

下列广义积分中,收敛的是( )。 A.∫1/x2 dx B.∫1/√ x dx C.∫1/x dx D.∫1/x dx

幂级数的收敛域为( )； A. (-1,1) B.[-1,1] C.[-1,1) D.(-1,1]

下面广义积分发散的一个是 A.∫ dx/ √1-x4 ； B.∫1-cosx/x4 dx ； C. ∫x/1+x2sin2x dx ； D.∫lnxdx 。

积分 = A. 1； B.2e+1 ； C. -2e+e； D.-2e+1

lim A. 必收敛 B. 必发散 C. 必条件收敛 D. 敛散性不定

设∫ f(t)dt=ln(5-x2) ,则f(x)= ( )。 A.5/5-x2 B.2x/5-x2 C.-2x/5-x2 D.5x

设f(x,y)=x7,则f.=() A. A B. B C. C D. D

幂级数的收敛域为( )； A. (-1,1) B.(- ∞,+ ∞) C.[-1,1) D.(-1,1]

已知F.(x)=f(x) , 则 ( )； A.F(x)+sinC B.F(x)+e C.F(x)+C2 D.F(x)+lnC

∫1/x2 dx( ) A. -2 B. 2 C. 0 D. 发散

若lnx/x为f(x)的一个原函数,则 ( )。 A.lnx/x+C B.1+lnx/x2+C C.1/x+C D.1/x-2lnx/x+C

d∫f(x)dx=( )； A.f(x) B.f.(x) C.f(x)dx D.f.(x)dx

lim(√n+2-2√n+1+√n) A. 0 B. 1 C. 2 D. 3

下面级数发散的一个是 A.∑√n+1/n ； B. ∑2/3n-1； C.∑(n3+1-n3-1) ； D.∑2+(-1)/2 。

设f(x)的一个原函数为sinx ,则 ( )。 A.0 B.π/2 C.π/2+1 D.π/2-1

函数u=3x3+2y2+z2在（0，1，1）点沿（2，-1，1）方向的方向导数是 A.-√6/3 B.√6/3 C.2 D.-2 A. A B. B C. C D. D

已知xy-3xy-1=0 ,则dy/dx=( )。 A.2xy+12x3y3/x3+6x4y B.12xy-2y/x-6xy C.12xy+2y/x-6xy D.6xy+y/x-3xy

设f(x,y)=x+(y-1)arccos√x+y ,则 ( )。 A.x B.arcsin√x2+y C.1 D.y

球面x2+y2+z2=2z与锥面z=√x2+y2所围在锥面内的几何体在球坐标下由（）给出。 A. A B. B C. C D. D

函数f（x,y）=x+y-4xy在 (1,1)的全微分为 ( )。 A.2dx-2dy B.4dx-4dy C.-4dx-4dy D.-2dx+2dy

函数在的富里埃级数展开式为 ,记此级数的和函数为 ,则使成立的范围是 A.[-π,π) ； B.(-π,π) ； C.[-π,π] D.(-π,π]

瑕积分收敛是收敛的( )条件。 A. 充分 B. 必要 C. 充分必要 D. 非充分亦非必要

函数f（x）连续,则在[a,b]上 =( ) A.f(2x) B.2f(2x) C.2f(x) D.2f(2x)-f(x)

使函数序列一致收敛的区域为 A.[0,1]； B. [0,1-e]； C. [1-e,1+e]； D.(0,+∞) 。其中0<e<1。

幂级数的收敛半径为 A.1/2 ； B. 1； C. 2； D.√2/2

已知 , 则 ( )； A.sinx B.cosx C.-sinx D.-cosx

若可导,则 ( )。 A.f(x) B.f(x)+C C.f.(x) D.f.(x)+C

已知函数 ,则 (____)。

下述说法中,正确的是 ( ) A. 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电, 所以本征半导体导电性能比杂质半导体好. B. n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电. C. n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能. D. p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.

力 (N)作用在质量m=2kg的物体上,使物体由原点从静止开始运动,则它在3s末的速度为( ) A.-27 ； B. 27； C.-54 ； D. 54.

已知一螺绕环的自感系数为L.若将该螺绕环锯成两个半环式的螺线管,则两个半环螺线管的自感系数() A. 都等于 . B. 有一个大于 ,另一个小于 . C. 都大于 . D. 都小于 .

如图所示 ,M、N为水平面内两根平行金属导轨,ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直裸导线.外磁场垂直水平面向上.当外力使ab向右平移时,cd A. 不动. B. 转动. C. 向左移动. D. 向右移动.

设为任意两个级方阵,则如下等式成立的是 A.(A+B)2=A2+2AB+B2 B.|A+B|=|A|+|B| C.|AB|=|B||A| D.|A-B|=|A|-|B|

设向量组线性无关, 线性相关,则( ). A. 一定能由线性表示 B. 一定能由线性表示 C. 一定不能由线性表示 D. 一定不能由线性表示

设为3次实系数多项式,则 A. 至少有一个有理根 B. 至少有一个实根 C. 存在一对非实共轭复根 D. 有三个实根.

为欧氏空间V上的对称变换,下面正确的是 ( ) A. B. C.

设阶矩阵的行列式 , 是的伴随矩阵,则( ) A. A=|A|A； B. (A)=|A|A； C.(A)=|A|A ； D.(A)=|A|A 。

设矩阵的秩为 , 为阶单位方阵,下述结论中正确的是( ) A. 的任意个列向量必线性无关； B. 的任意一个阶子式不等于零； C. 若矩阵满足 ,则 ,或非齐次线性方程组 ,一定有无穷多组解 D. 通过初等行变换,必可化为的形式。

对于元方程组,下列命题正确的是( ). A. 如果只有零解,则也只有零解 B. 如果有非零解,则有无穷多解 C. 如果有两个不同的解,则有无穷多解 D. 有唯一解的充分条件是

下列运算中正确的是( ) A.AB=AB ； B.(AB)=AB ； C. (A+B)=B+A； D. (AB)=BA。

若矩阵A的不变因子为 , 则A的全部初等因子为 ( ) A.(X-1)2 B.(X-1) C.(X-1)

设矩阵和分别是和的矩阵,秩 ,秩 ,则秩是 A. 1 B. 2 C. 3 D. 4

一个级方阵经过若干次初等变换之后变为 , 则一定有 A.|A|=|B| B. 与同解 C. 秩秩 D.A=B

对于数域P上线性空间V的数乘变换来说 ( )不变子空间 A. 只有一个 B. 每个子空间都是 C. 不存在

下列说法不正确的是( ). A. 任何一个多项式都是零次多项式的因式 B. 如果f(x)∣g(x),g(x)∣h(x),则f(x)∣h(x) C. 如是阶矩阵,则 D. 如是阶矩阵,则