出自:周口师范学院半导体物理学

1[单选题,6.2分] 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（） A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
[单选题,6.2分] 半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（） A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构
[单选题,6.2分] 硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件 A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率
4[单选题,6.2分] 欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（） A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV）
[单选题,6.2分] 在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（） A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽
6[单选题,6.2分] GaAs的导带极值位于布里渊区（） A.中心 B.<111>方向边界处 C.<100>方向边界处 D.<110>方向边界处
[单选题,6.2分] 对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（） A.禁带宽度增大 B.禁带宽度减小 C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界 D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变
8[单选题,6.2分] 根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（） A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率 B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率 C.大于电子占据EF的几率 D.大于空穴占据EF的几率
[单选题,6.2分] 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（） A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近Ei D.经过一极大值趋近Ei
[单选题,6.2分] 某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（） A.金属 B.本征半导体 C.掺杂半导体 D.高纯化合物半导体
[单选题,6.2分] 如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。 A.无杂质污染 B.受较强的宇宙射线照射 C.晶体生长完整性好 D.化学配比合理
12[单选题,6.2分] 载流子的漂移运动是由（）引起的。 A.电场 B.浓度差 C.热运动 D.电流
13[多选题,6.2分] 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。 A.本征 B.受主 C.空穴 D.施主 E.电子
[多选题,6.2分] 受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。 A.电子和空穴 B.空穴 C.电子 D.以上说法都不对
[多选题,6.2分] 电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。 A.正 B.负 C.零 D.准粒子 E.粒子
[多选题,7分] 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。 A.变化量 B.常数 C.杂质浓度和杂质类型 D.禁带宽度和温度
[填空题,4分] 当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
[填空题,4分] 硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
[填空题,4分] 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
[填空题,4分] nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
[填空题,4分] n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
[填空题,4分] 半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
[填空题,4分] 半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
[填空题,4分] 若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
[填空题,4分] 已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
[填空题,4分] 纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
[填空题,4分] 半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
[填空题,4分] 在存在自建电场的半导体中产生（），可制成（）。
[填空题,4分] 光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。
[填空题,4分] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）。
[填空题,4分] 有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。
[填空题,4分] 简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
[填空题,4分] PN结电容可分为（）和（）两种。
[填空题,4分] 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。
[填空题,4分] 两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。
[填空题,4分] 有效陷阱中心位置靠近（）
[填空题,4分] 电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）
[填空题,4分] 起有效复合中心的杂质能级必须位于（）
[填空题,4分] 复合中心的作用是（）
[填空题,4分] 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
[填空题,4分] 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。
1[判断题,4分] 在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（） A.正确 B.错误
[判断题,4分] 电子在半导体中传输时若发生晶格振动散射，则会发出或者吸收声子，使电子动量发生改变，从而影响到电导率。（） A.正确 B.错误
3[判断题,4分] 电子浓度不等于空穴浓度。（） A.正确 B.错误
[判断题,4分] 半导体又分为n型半导体和p型半导体。（） A.正确 B.错误
[判断题,4分] 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（） A.正确 B.错误
[判断题,4分] 费米能级是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。（） A.正确 B.错误
[判断题,4分] 温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（） A.正确 B.错误
[判断题,4分] 与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（） A.正确 B.错误
[判断题,4分] 砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（） A.正确 B.错误
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