[单选题,6.2分] 如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
A.无杂质污染
B.受较强的宇宙射线照射
C.晶体生长完整性好
D.化学配比合理
出自：周口师范学院半导体物理学

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