下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。
A:内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B:缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C:表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降
D:有缺陷的试件，才会产生漏磁场
出自：无损检测技术资格人员

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