下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
A:它与试件上的磁通密度有关
B:它与缺陷的高度有关
C:磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
D:以上都对
出自：无损检测技术资格人员

提示：
同一【IP】的非会员用户每天可免费获取10次答案

收藏本站【zk.995w.com】，下次访问不迷路

本站试题总数:【10245629】个 (题库试题定时更新)