---

下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）
A:缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
B:在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
C:交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
D:在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响
E:除A以外都对

---

出自：无损检测技术资格人员

显示答案