下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）
A:内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
B:缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
C:表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降
D:用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
出自：无损检测技术资格人员

提示：
同一【IP】的非会员用户每天可免费获取10次答案

收藏本站【zk.995w.com】，下次访问不迷路

本站试题总数:【10245629】个 (题库试题定时更新)