由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A:刻蚀速率
B:选择性
C:各向同性
D:各向异性
出自：集成电路制造工艺员

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