刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:光刻胶
D:去离子水
出自：集成电路制造工艺员

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