下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A:二氧化硅氮化硅
B:多晶硅硅化金属
C:单晶硅多晶硅
D:铝铜
E:铝硅
出自：集成电路制造工艺员

提示：
同一【IP】的非会员用户每天可免费获取10次答案

收藏本站【zk.995w.com】，下次访问不迷路

本站试题总数:【10244422】个 (题库试题定时更新)