二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
A:降低
B:增加
C:不变
D:先降低后增加
出自：集成电路制造工艺员

提示：
同一【IP】的非会员用户每天可免费获取10次答案

收藏本站【zk.995w.com】，下次访问不迷路

本站试题总数:【10249282】个 (题库试题定时更新)