单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A:氮化硅
B:二氧化硅
C:光刻胶
D:多晶硅
出自：集成电路制造工艺员

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