下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
A:烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B:烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C:烘烤的温度一般在300℃左右
D:烘烤的时间越长越好
出自：集成电路制造工艺员

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