干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
A:生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B:氧化的速度慢
C:生长的二氧化硅缺陷多
D:生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
出自：集成电路制造工艺员

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