大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A:薄膜厚度
B:图形宽度
C:图形长度
D:图形间隔
出自：集成电路制造工艺员

提示：
同一【IP】的非会员用户每天可免费获取10次答案

收藏本站【zk.995w.com】，下次访问不迷路

本站试题总数:【10244422】个 (题库试题定时更新)