由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
A: 对探伤有利
B: 对探伤不利
C: 半扩散角增大
D: 超声波能量发散
出自：无损探伤工

提示：
同一【IP】的非会员用户每天可免费获取10次答案

收藏本站【zk.995w.com】，下次访问不迷路

本站试题总数:【10232314】个 (题库试题定时更新)