下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。
A:内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
B:缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C:表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D:用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
出自：无损探伤工

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