为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用(    ) (本题2.0分)
A、 du/dt抑制电路  
B、 抗饱和电路  
C、 di/dt抑制电路   
D、 吸收电路
出自：河南工业大学电力电子技术(专升本)

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