[单选题,4分] 对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言，存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
A.8ms
B.5ms
C.10ms
D.2ms
出自：河南理工大学计算机组成与系统结构

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