在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。

A.
GTR、IGBT

B.
GTO、电力MOSFET

C.
GTR、GTO、

D.
电力MOSFET、IGBT
出自：西安理工大学电力电子技术

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