出自:电气工程专业基础

场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()
A:A恒流区
B:B可变电阻区
C:C夹断区
D:D击穿区
电路如图11-16所示,已知R1=5kΩ,R2=15kΩ,R3=10kΩ,RC=2kΩ,R=2kΩ,当电阻R2不慎被短路后(如图),该电路中的晶体管处于()。
A:截止状态
B:放大状态
C:饱和状态
D:击穿状态
无限大容量电源的含义是什么?提供的短路电流包括几种分量?有什么特点?
测量时一般二极管的反向电阻应在()以上为好。
A:几十千欧
B:几千欧
C:几百欧
D:几十欧
气体继电器保护是()的唯一保护。
A:变压器绕组相间短路
B:变压器绕组对地短路
C:变压器套管相间或相对地短路
D:变压器铁芯烧损
变压器与异步电动机磁路结构上存在的主要区别是()。
A:异步电动机是旋转的,变压器是静止的
B:异步电动机的磁路存在气隙,而变压器的磁路可以封闭
C:变压器的磁路存在气隙,而异步电动机的磁路可以封闭
D:变压器的磁路相互影响,而异步电动机的磁路相互独立
准确级10P20的稳态保护用电流互感器,以下描述正确的是()。
A:在额定准确限制一次电流为20kA的情况下,电流互感器的复合误差不超过10A
B:在额定准确限制一次电流为20kA的情况下,电流互感器的复合误差不超过10%
C:在额定准确限制一次电流20倍额定一次电流的情况下,电流互感器的复合误差不超过10A
D:在额定准确限制一次电流20倍额定一次电流的情况下,电流互感器的复合误差不超过10%
图10-46所示电路的谐振频率应为()。
A:1/LC
B:0.5/LC
C:2/LC
D:4/LC
为减小某一线路短路时对其他线路的影响,一般要求在限流电抗器后发生短路时,限流电抗器前的残余电压不小于网络额定电压的()。
A:80%
B:70%
C:60%
D:50%
对称三相电压源作星形联结,每相电压有效值均为220V,但其中BY相接反了,如图10-55所示,则电压UAy有效值等于()V。
A:220
B:380
C:127
D:0
少油断路器内的变压器油主要作用为()。
A:绝缘
B:灭弧
C:润滑
D:防锈
为什么金属导体的温度升高时,它的电阻会增加?
矿用防爆电气设备其型式包括隔爆型等()种电气设备。
A:6
B:10
C:12
D:8
OTL功率放大电路如图所示,该电路会产生()。
A:饱和失真
B:频率失真
C:交越失真
电路如图11-8所示,晶体管β=50,Ube=0.6V,RB=72kΩ,RC=1.5kΩ,U=9V,当R=0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电流ICQ应等于3mA,此时应把R调整为()kΩ。
A:100
B:72
C:68
D:86
改变交流异步电动机的转向的正确方法是()。
A:A、B、C三相接线逆时针轮换一边
B:A、B、C三相接线顺时针轮换一边
C:A、B、C三相接线中任两根互换一次
D:A、B、C三相接线中任意两根互换两次
什么是带电流负反馈放大电路的稳压电路?它主要是由哪些部分组成?
题1图所示电路中u=-2V,则3V电压源吸收的功率应为()W。
A:10
B:3
C:-10
D:-3
某三相变压器的联结组号为:Y/Y-0,其含义为()。
A:一次绕组星接,二次绕组角接,一次、二次相电压差为0°电角
B:一次绕组星接,二次绕组星接,一次、二次线电压差为0°电角
C:一次绕组星接,二次绕组星接,一次、二次线电压差为30°电角
D:一次绕组星接,二次绕组角接,一次、二次相电压差为30°电角
电机理论中电角度与机械角度的关系为()。
A:=p
B:=
C:=s
D:=p
若集成运放的最大输出电压幅度为UOM,则在()情况下,集成运放的输出电压为-UOM
A:同相输入信号电压高于反相输入信号
B:同相输入信号电压高于反相输入信号,并引入负反馈
C:反相输入信号电压高于同相输入信号,并引入负反馈
D:反相输入信号电压高于同相输入信号,并开环
关于可编程逻辑阵列PLA,下列说法正确的是()。
A:PLA结构是与门阵列固定连接,而或门阵列可编程
B:PLA结构是或门阵列固定连接,而与门阵列可编程
C:PLA结构是与门阵列和或门阵列都可以编程
D:PLA中,一个地址码对应的存储单元是唯一的
放大电路如下图所示,当RF增加时,该电路的通频带()。
A:变宽
B:变窄
C:不变
在有名单位制中,功率的表达式为()。
A:S=1.723UI
B:S=UI
C:S=3UI
D:S=UIcosφ
对于深度达18m的基础工程,在条件适宜的情况下,可选择()作为基坑支护型式。
A:水泥土墙
B:地下连续墙
C:土钉墙
D:逆作拱墙
距离保护受系统振荡影响与保护的安装位置有关,当振荡中心在保护范围外时,距离保护就不会误动作。
在图10-2所示电感电路中,电压与电流的正确关系式应是()。
A:i=Ldu/dt
B:u=-Ldi/dt
C:u=-Li
D:u=Ldi/dt
一接线有错误的放大电路如图11-9所示,该电路错误之处是()。
A:电源电压极性接反
B:基极电阻RB接错
C:耦合电容C1极性接错
D:耦合电容C2极性接错
RAM的基本结构包含地址译码器、存储矩阵和读写电路三大部分。一个RAM芯片有11个地址输入端,8个数据输出端,则该RAM芯片的容量是()位。
A:88
B:880
C:211×8
D:28×11
为了限制故障的扩大,减轻设备的损坏,提高系统的稳定性,要求继电保护装置具有()。
A:灵敏性
B:快速性
C:可靠性
D:选择性