出自:中级口腔医学技术

支架熔模包埋适用（）
A:磷酸盐包埋材料
B:石膏类包埋材料
C:正硅酸乙酯包埋材料
D:二氧化锆类包埋材料
E:复合材料包埋材料
下列哪项不是牙髓的基本功能（）
A:牙本质细胞形成牙本质
B:丰富的侧支循环使牙髓损伤后能很快恢复
C:有感觉神经纤维传导痛觉
D:成牙本质细胞及结缔组织成分对外界刺激的保护性反应
E:管系统向牙髓牙本质复合体提供营养成分
生物调节器原设计者认为（）
A:Ⅰ类错是由于舌功能比颊功能弱，因而牙弓宽度发育不足，牙列拥挤
B:Ⅱ类错是舌位置靠后的结果
C:Ⅲ类错是舌位置靠前的结果
D:唇的封闭是生长潜力自由发展的前提，唇功能异常，生长将受阻
E:以上均正确
舌后1／3的一般感觉及味觉由什么神经支配（）
A:舌咽神经
B:舌下神经
C:舌神经
D:面神经
E:下牙槽神经
前牙接触后牙不接触与哪个因素无关（）
A:前牙深覆
B:前牙深覆盖
C:切导斜度大
D:后牙补偿曲线小
E:个别牙尖阻挡
支托形状下列哪项是错误的（）
A:尖向面中心的圆三角形
B:支托表面呈球状突起
C:在边嵴处最宽，向面中心逐渐变窄
D:在边缘处最厚，向面中心逐渐变薄
E:支托底面与支托凹呈球面接触关系
患者，男，10岁，替牙，双侧后牙反，上牙弓狭窄，要进行快速扩大上牙弓，应采用哪种矫治装置（）
A:四眼扩弓簧
B:W形弓簧
C:Nance弓
D:螺旋扩大器
E:颌间交互牵引
为防止烤瓷熔附金属全冠戴入后食物嵌塞，应采取的措施除了（）
A:恢复正确的邻接关系
B:面边缘与邻牙一致
C:去除对颌充填式牙尖
D:去除该牙的接触
E:加深颊舌沟
关于牙体瓷构筑完成后对其进行回切描述错误的是（）
A:在唇面切1／3处，从唇舌经的1/2画线沿45°角切削
B:其次唇面中1／3处适当切削
C:邻面留出1.5mm的切端瓷位置
D:在唇面体瓷切2／3面上，用回切刀形成2～3个纵形"旷字型凹槽
E:回切时注意形成唇面弯曲弧度
义齿支架大小连接体折断较为理想的焊接工艺为（）
A:汽油吹管火焰焊接法
B:锡焊法
C:烤瓷炉内焊接法
D:激光焊接法
E:点焊
龋病按发情况及进展速度，将病变进展快、颜色浅、质地软而湿的称为（）
A:继发龋
B:深龋
C:面窝沟龋
D:干性龋
E:湿性龋
嵌体铸道形式，不包括下列（）
A:单铸道式
B:双铸道式
C:网形
D:扇形
E:栅栏式

患者，男，使用可摘局部义齿半年后出现人工牙折断。查缺失，塑料基托式可摘局部义齿修复，人工牙缺损大半，缺牙间隙较小，龈距较短，余留牙咬合较紧。



第1题，共2个问题
(单选题)以下是导致人工牙折断的原因，除外（）
A:缺牙间隙太小
B:咬合力大
C:咬合平衡
D:龈距过短
E:人工牙为塑料牙

第2题，共2个问题
(单选题)如果重新行可摘局部义齿修复，排列人工牙最好选用（）
A:塑料牙
B:烤瓷牙
C:金属面牙
D:全金属牙
E:任何一种都适合
"中线"是指（）
A:平分颅面部为左右两等分的一条假想线
B:通过两眼之间中点的一条假想线
C:通过上中切牙中间的一条假想线
D:通过上唇系带的一条假想线
E:通过鼻尖的一条假想线
颌间距离过小在排牙时错误的是（）
A:磨短，薄上前牙
B:大量磨改下前牙
C:不磨改下前牙，只使切缘向舌侧倾斜
D:同样要求横和纵曲线
E:选用塑料牙
上颌第二前磨牙近中面邻接处位于（）
A:中1／3近缘处
B:颊1／3近缘处
C:在舌1／3近缘处
D:颊1／3与中1／3交界处
E:舌1／3与中1／3交界处
被称为"龋标志菌"的是（）
A:变形链球菌
B:消化链球菌
C:血链球菌
D:乳杆菌
E:韦荣球菌
桩冠根管预备时，冠桩的长度为（）
A:与牙根的长度一致
B:根长的1／2
C:根的1／3
D:根长的2／3～3／4
E:根长的4／5
后牙接触前牙不接触需调整哪个因素（）
A:前牙覆
B:前牙覆盖
C:横曲线
D:降低平面
E:都需要
下列哪项是影响金属-烤瓷结合的最主要因素（）
A:机械结合力
B:范德华力
C:化学结合力
D:压缩结合力
E:残余应力
锤造冠的优点是（）
A:不需切割牙体组织
B:切割牙体组织少
C:切割牙体组织多
D:可随意切割牙体组织
E:制作较复杂
患者，女，39岁，6个月前因外伤一上前牙脱落，今要求烤瓷桥修复。口腔检查：右上中切牙缺失，间隙无明显异常，牙槽嵴高度无明显异常，较平整。左上中切牙近中切角缺损，未露髓，探稍敏感，叩诊阴性，无松动。右上侧切牙牙冠完好，叩诊阴性，无松动。上、下前牙牙龈轻度红肿，易出血，可见少量菌斑及牙石，余牙未见明显异常。

第1题，共4个问题
(单选题)下列关于金瓷冠瓷层的描述，正确的是（）
A:金瓷冠的颜色主要靠上色获得
B:体瓷厚度一般为0.5mm
C:不透明瓷至少0.4mm
D:瓷烧结次数增加则瓷的热膨胀系数增加
E:以上都不对

第2题，共4个问题
(单选题)下列关于金瓷固定桥金属桥架的要求，不正确的是（）
A:镍铬合金强度较好
B:连接体偏舌侧
C:尽量增加连接体龈厚度
D:咬合接触最好在瓷面上
E:金瓷衔接处避开咬合功能区

第3题，共4个问题
(单选题)下列哪项不是修复前进行的必要检查和治疗工作（）
A:前牙区根尖片
B:左上中切牙根管治疗
C:与患者交流治疗方案
D:牙周洁治
E:取研究模型

第4题，共4个问题
(单选题)下列哪项关于右上侧切牙金瓷冠牙体预备的要求是正确的（）
A:切端磨除2mm
B:唇面磨除2mm
C:牙体预备分次磨除
D:唇面龈边缘在龈沟底
E:唇面龈边缘在龈上
关于碳棒电弧熔金，说法不正确的是（）
A:利用低电压20～36V
B:利用强电流90～100A
C:温度可达3000℃
D:可熔化各种合金
E:此种方法可使所熔合金产生增碳氧化现象
在排列后牙时，决定其人工牙面形态、大小的因素如下，除外（）
A:人工牙略小于天然牙
B:义齿的支持形式
C:义齿的稳定
D:牙槽嵴吸收
E:义齿固位
有辅助发音的作用的是（）
A:上颌牙槽嵴
B:切牙乳突
C:上颌硬区
D:腭皱
E:颤动线
王某，男，35岁，口腔卫生良好，无龋齿及牙周疾患。第一磨牙中性关系，颊向，上颌可用间隙92mm，必需间隙95mm，下颌牙列平齐，余正常。 如果采用邻面去釉的方法，那么每个牙去除釉质的厚度最多是（）
A:0.5mm
B:0.75mm
C:0.25mm
D:0mm
E:0.45mm
金瓷结合中，不受金瓷热膨胀系数影响的因素是（）
A:合金和瓷材料本身热膨胀系数匹配不合理
B:材料本身质量不稳定
C:瓷粉调和或堆瓷时污染
D:烤结温度、升温速率和烤结次数变化
E:金瓷结合面除气预氧化不正确
切牙的邻切洞为（）
A:Ⅰ类洞
B:Ⅱ类洞
C:Ⅲ类洞
D:Ⅳ类洞
E:Ⅴ类洞
回力卡环与小连接体相连接的部位是（）
A:近中支托处
B:远中支托处
C:舌支托处
D:舌侧卡臂尖处
E:颊侧卡臂尖处
下列哪项不是支托的作用（）
A:直接固位作用
B:间接固位作用
C:支持作用
D:恢复关系和防止食物嵌塞
E:传递力
首页 <上一页 6 7 8 9 10 下一页> 尾页