出自:集成电路制造工艺员

对集成电路封装形式进行小结，并收集信息是什么？
试总结电子元器件大致分为几代；对电子元器件的主要要求是什么？
在磁分析器中常用（）分析磁铁。
A:柱形
B:扇形
C:方形
D:圆形
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
A:化学增强
B:化学减弱
C:厚度增加
D:厚度减少
什么是焊膏？焊接工艺对焊膏提出哪些技术要求？
目前，最广泛使用的退火方式是（）。
A:热退火
B:激光退火
C:电子束退火
D:离子束退火
（）的方法有利于减少热预算。
A:高压氧化
B:湿氧氧化
C:掺氯氧化
D:氢氧合成氧化
E:等离子增强氧化
电位器有哪些类别？有哪些技术指标？如何选用？如何安装？
分析器是一种（）分选器。
A:电子
B:中子
C:离子
D:质子
数字集成电路的输入信号电平可否超过它的电源电压范围？
在靶片前方设一抑制栅，作用是将（）抑制回去，从而保证测量的准确性。
A:二次电子
B:二次中子
C:二次质子
D:无序离子
去正胶常用的溶剂有（）
A:丙酮
B:氢氧化钠溶液
C:丁酮
D:甲乙酮
E:热的氯化碳氢化合物
请说明表面安装元件上文字的含义及元件名称：
关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。
A:正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶
B:正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解
C:负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低
D:正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解
E:负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低
请总结检修SMT电路板常用工具的种类及用途是什么？
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A:4～6h
B:50min～2h
C:10～40min
D:5～10min
净化室里废气收集管系统分为两类，分别是（）。
A:一般排气系统
B:特殊排气系统
C:制程排气系统
D:专用排气系统
E:排气排水系统
树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。
A:80
B:60
C:40
D:20
E:10
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
A:温度
B:硅-二氧化硅界面处的化学反应
C:氧的扩散速率
D:压力
用五色环标注电阻：2.00kΩ±1％，39.0Ω±1％。
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
A:刻蚀
B:氧化
C:淀积
D:光刻
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A:离子注入
B:溅射
C:淀积
D:扩散
thermal conductivity gauge的意思是（）。
A:离子计
B:热传导真空计
C:放电型真空计
D:麦克劳式真空计
TFTLCD显示器的主要特点有哪些？
总结焊接温度与加热时间如何掌握。时间不足或过量加热会造成什么有害后果？
请总结导线连接的几种方式及焊接技巧是什么？
列举有机注塑元件的焊接失效现象及原因，并指出正确的焊接方法是什么？
工艺工作在电子产品形成的各阶段应完成哪些工作？
（）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。
A:晶核
B:晶粒
C:核心
D:核团
离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。
A:中子源
B:离子源
C:电子源
D:质子源
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