出自:半导体芯片制造工

杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
位错的形成原因是（）。
A:位错就是由弹性形变造成的
B:位错就是由重力造成的
C:位错就是由范性形变造成的
D:以上答案都不对
在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
A:越不容易受
B:越容易受
C:基本不受
说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
A:电性能
B:电阻
C:电感
硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）
半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。（）
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