出自:基础考试

矩形截面拉杆中间开一深为h/2的缺口，与不开缺口时的拉杆相比（不计应力集中影响），杆内最大正应力是不开口时正应力的多少倍？（）
A:2
B:4
C:8
D:16
因特网是一个联结了无数个小网而形成的大网，也就是说（）。
A:因特网是一个城域网
B:因特网是一个网际网
C:因特网是一个局域网
D:因特网是一个广域网
由于岩石的抗压强度远大于它的抗拉强度，所以岩石属于（）。
A:脆性材料
B:延性材料
C:坚硬材料
D:脆性材料，但围压较大时，会呈现延性特征
某化合物的结构式为，该有机化合物不能发生的化学反应类型是：（）
A:加成反应
B:还原反应
C:消除反应
D:氧化反应
图示平面刚性直角曲杆的支承力、尺寸与荷载均已知，且Fpa>m。B处插入端约束的全部约束力各为：（）
A:A
B:B
C:C
D:D
酒精燃烧法测定的含水率一般大于烘干法测定的含水率。
在波长为λ的驻波中，两个相邻的波腹之间的距离为：（）
A:A
B:B
C:C
D:D
截面尺寸、砂浆和块体强度等级均相同的砌体受压构件，下面哪些说法是正确的？（）Ⅰ.承载力随高厚比的增大而减小Ⅱ.承载力随偏心距的增大而减小Ⅲ.承载力与砂浆的强度等级无关Ⅳ.承载力随相邻横墙间距的增加而增大
A:Ⅰ、Ⅱ
B:Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ
C:Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
D:Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ
在单缝夫琅和费衍射实验中，若单缝两端处的光线到达屏幕上某点的光程差为δ=2.5λ（λ为人射单色光的波长），则此衍射方向上的波阵面可划分的半波带数目和屏上该点的衍射情况是：（）
A:4个半波带，明纹
B:4个半波带，暗纹
C:5个半波带，明纹
D:5个半波带，暗纹
下列物质中，属于酚类的是：（）
A:C3H7OH
B:C6H5CH2OH
C:C6H5OH
D:
紊流附加切应力等于：（）
A:A
B:B
C:C
D:D
斜弯曲的主要特征是：（）
A:A
B:B
C:C
D:D
图示圆轴抗扭截面模量为Wt，剪切模量为G，扭转变形后，圆轴表面A点处截取的单元体互相垂直的相邻边线改变了γ角，如图所示。圆轴承受的扭矩T为：（）
A:A
B:B
C:C
D:D
某一微机的地址总线为20位，其可访问的最大地址空间为（）。
A:220
B:219
C:2204＋1
D:220-1
确定一直线与标准方向夹角关系的工作称为：（）
A:方位角测量
B:直线定向
C:象限角测量
D:直线定线
对于无明显屈服点的钢筋，进行钢筋质量检验的主要指标是下列中哪几项？（）Ⅰ.极限强度Ⅱ.条件屈服强度Ⅲ.伸长率Ⅳ.冷弯性能
A:Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ
B:Ⅰ、Ⅱ、Ⅳ
C:Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ
D:Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ
对河床中的陡倾角的断层，不适宜的勘探方法包括（）
A:在水上打直孔
B:在两岸向河床打斜孔
C:在岸边向河床开挖斜井
D:开挖水下过河平洞
在较厚的软土地基上建造多层或高层建筑物时，因软土地基的强度低、压缩性高，地基基础设计可考虑采用补偿基础设计。补偿性基础设计的主要目的是（）。
A:减少基底压力
B:减少基底平均附加应力
C:减少基底处土的自重应力
D:增加基底处土的自重应力
设函数f（x）＝arcsinx+arccosx，则在［-1，1］上f（x）（）。
A:是单调增加函数
B:是单调减少函数
C:是常数且常数恒为1
D:是常数且常数恒为
两拉杆的材料和所受拉力相同，且均处在弹性范围内，若两杆长度相等，横截面面积A1>A2，则：（）
A:A
B:B
C:C
D:D
下列分子中其中心原子采用sp不等性杂化的是（）。
A:BeCl2
B:BCl3
C:PH3
D:CCl4
折杆危险截面上危险点的应力状态，现有四种答案：（）
A:A
B:B
C:C
D:D
岩石试件剪切破坏的判断标准是（）。
A:剪切荷载加不上
B:剪切位移明显变大
C:总剪切位移已达到试件边长的5%
D:剪切荷载无法稳定
图示结构K截面弯矩值为：（）
A:10kN·m（右侧受拉）
B:10kN·m（左侧受拉）
C:12kN·m（左侧受拉）
D:12kN·m（右侧受拉）
反循环钻进是（）
A:钻具顺时针旋转
B:钻具逆时针旋转
C:泥浆从钻杆流进孔内然后由钻具与孔壁之间间隙流出地表
D:泥浆从钻具与孔壁之间间隙进也内然后由钻杆上部抽吸出地表
受拉杆如图，其中在BC段内：（）
A:有位移、无变形
B:有变形、无位移
C:既有位移、又有变形
D:既无位移、也无变形
下列缩略语中，与内存储器无直接关系的是（）。
A:ROM
B:RAM
C:MB
D:MIPS
图示结构各杆线刚度i相同，用力矩分配法计算时，力矩分配系数μBA应为：（）
A:1/2
B:4/7
C:4/5
D:1
在图示xy坐标系下，单元体的最大主应力σ1大致指向：（）
A:第一象限，靠近x轴
B:第一象限，靠近y轴
C:第二象限，靠近x轴
D:第二象限，靠近y轴
在微机系统中，对输入、输出进行管理的基本程序放在（）。
A:RAM中
B:ROM中
C:硬盘上
D:辅助存储器中
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