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出自:LA物理师
立体定向适形放射治疗的简称是()
A:CRT
B:SRT
C:C-CRT
D:C-SRT
E:3DCRT
80%(或90%)正弦形等剂量曲线的波峰到20%(或10%)正弦形等剂量线的波谷间的距离,称为()
A:几何半影
B:穿射半影
C:散射半影
D:物理半影
E:有效半影
关于体位参考标记的选择,描述错误的是()
A:斗篷野照射时常选用胸骨切迹为参考标记点
B:对皮下脂肪层较薄的部位,皮肤标记可设在体位固定面罩上
C:对皮下脂肪层较厚的部位,应使皮肤标记的位移最小
D:标记点距离靶中心位置越近越好
E:体表标记比内标记引起的误差小得多
模体内某一点的散射剂量率与该点空气中吸收剂量率之比为()
A:散射空气比
B:最大组织空气比
C:反散因子
D:标准组织空气比
E:平均组织空气比
常用场所辐射监测仪中灵敏度最高的是()
A:电离室
B:正比计数器
C:GM计数器
D:闪烁探测器
E:半导体探测器
与电离室的复合效应无关的是()
A:电离室的几何尺寸
B:工作电压的选择
C:正离子产生的速率
D:负离子产生的速率
E:电离辐射的入射方向
光电效应中,光电子动能等于()
A:零
B:电子结合能
C:入射光子能量
D:入射光子能量加上电子结合能
E:入射光子能量减去电子结合能
电离室用于测量()
A:电流
B:电场
C:电荷
D:电压
E:电量
电子束有效源皮距的表达公式是()
A:1/斜率
B:1/dm
C:(1/斜率)+dm
D:(1/斜率)-dm
E:(1/dm)+斜率
摆位误差的大小约为()
A:2-3毫米
B:3-5毫米
C:5-7毫米
D:7-9毫米
E:8-10毫米
组织最大比因素()
A:深度
B:源皮距
C:射野能量
D:源轴距
E:射野大小
对于x(γ)射线,组织替代材料必须与组织具有相同的()
A:反射系数
B:吸收系数
C:总线性衰减系数
D:碰撞系数
E:弹性系数
关于最小靶剂量的描述,错误的是()
A:是临床靶区内接受的最小剂量
B:一般位于临床靶区的周边范围
C:是相邻放射源之间最小剂量的算术平均值
D:在巴黎剂量学系统中,最小靶剂量即为参考剂量
E:在曼彻斯特剂量学系统中,最小靶剂量约等于90%的处方剂量
铱-192源的使用形式有()
A:籽粒
B:发针
C:铱丝
D:串源
E:以上各项
模体表面下射野中心轴上某一点作为剂量计算或测量点时,该点作为()
A:基准点
B:参考点
C:标准点
D:原点
E:等中心
测量电离室输出信号的方式包括()
A:电压、电流、输出电荷量
B:电压、电阻,输出电荷量
C:电压、电容、输出电荷量
D:电阻、电流、输出电荷量
E:电阻、电容、输出电荷量
腔内放疗单个点源距源0.5cm-5cm处,放疗剂量计算误差验收标准()
A:<2.0%
B:<2.5%
C:<3.0%
D:<4.0%
E:<5.0%
如以r表示电离室的半径,则高能X射线的有效测量点位于()
A:0.3r
B:0.4r
C:0.5r
D:0.75r
E:几何中心
对塑料闪烁体剂量计的描述中,
不正确
的是()
A:电子密度和原子组成与水几乎等效
B:可用于高剂量梯度区域、建成区、交界面区、小野和接近治疗源的剂量测量
C:能量依赖性强
D:灵敏度高
E:有良好的重复性和长时间的稳定性
TBI(全身照射)时,对较高能量的射线,加散射屏的目的是()
A:增加射线的吸收
B:减小反向散射
C:增加皮肤剂量
D:增加剂量在患者体内的建成
E:增加反向散射
目前所知的最强的放射增敏剂是()
A:卤化吡啶
B:氧
C:马蔺子素
D:激素
E:铂
对于剂量建成区的描述,
不正确
的是()
A:兆伏级的光子线在表面到最大剂量深度之间的区域称之为剂量建成区
B:到达最大剂量深度处时,此时的深度大致相当于次级带电粒子的射程
C:在最大剂量深度后的区域,光子线产生的次级电子随着深度的增加而增加
D:在最大剂量深度前,高能次级电子对剂量的贡献随深度的增加而增加
E:在计量建成区内,光子线强度随着深度的增加而减小
不属于
钴60治疗机组成部分的是()
A:治疗床
B:计时器
C:治疗机架
D:安全连锁
E:电离室
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()
A:电子束无明显建成效应
B:电子束的皮肤剂量较高
C:电子束的照射范围平坦
D:电子束射程较短
E:电子束容易被散射
高能电子束用于肿瘤的放射治疗,始于哪个年代初期()
A:30
B:40
C:50
D:60
E:70
TBI(全身照射)的毒副作用,常见的是()
A:放射性肺炎
B:放射性肾炎
C:放射性肝炎
D:放射性食管炎
E:荨麻疹
通过减少椭球形短轴方向的射野,以使剂量分布向长轴方向移动的减弧规则,称为()
A:“Bell”原理
B:“Jell”原理
C:“Bell-O”原理
D:“Jell-O”原理
E:以上均错
剂量跌落的公式表达是()
A:G=Rp/(Rq-Rp)
B:G=Rp/(Rq+Rp)
C:G=Rp/(Rp-Rq)
D:G=Rq/(Rq-Rp)
E:G=Rq/(Rq+Rp)
有关半导体剂量仪的叙述,
不正确
的是()
A:当电离辐射照射半导体探测器时,产生的载流子在电场作用下形成脉冲信号
B:根据掺杂情况不同,有N型半导体探测器和P型半导体探测器
C:相同体积的半导体探测器,要比空气电离室的灵敏度低,这是在放射治疗中普遍使用电离室的原因
D:高原辐射会使半导体探测器晶格发生畸变,导致探头受损,灵敏度下降
E:环境温度会影响半导体探测器的灵敏度
4MV光子束,10cm×10cm照射野,SAD=100cm,在7cm深度的TAR为0.8。在SAD处照射野面积相同的情况下,当SSD由93cm变到193cm(距源200cm)时,TAR数值()
A:增加5%
B:增加10%
C:增加15%
D:增加20%
E:不改变
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