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出自:无损检测技术资格人员
施加荧光渗透剂之前,零件上的酸性材料去除不干净会引起()
A:渗透液的荧光降低
B:渗透时间需要加倍
C:在零件上形成永久性锈斑
D:以上都对
管电流一定时,为了增加底片的对比度,应该()
A:增加KV,增加曝光时间
B:增加KV,减少曝光时间
C:减少KV,增加曝光时间
D:减少KV,减少曝光时间
对于含有周向剩余磁场的零件退磁时()
A:材料磁滞回线是应考虑的最重要的因素;
B:建立一个纵向磁场,然后进行退磁
C:在夹头通电设备上用半波电流进行降压磁化可保证将剩余磁场完全去除;
D:使用旋转周期磁场
如果只能在普通的照明条件下进行检验,应采用哪种渗透液()。
A:着色渗透液
B:后乳化荧光渗透液
C:水洗荧光渗透液
D:以上任何渗透液都可以
()裂纹通常由于局部过热引起的,且表现为不规则的网状或分散的细线条状。
A:疲劳裂纹
B:磨削裂纹
C:弧坑裂纹
D:热影响区裂纹
直径为25mm和50mm的棒材,使用相同的电流进行磁化,其表面磁场()
A:两试件磁场相同
B:直径为50mm的棒磁场较强
C:直径为25mm的棒磁场较弱
D:直径为25mm的棒磁场较强
如图所示,用线圈磁化圆棒时,A,B两处哪个位置的磁化效果强?()
A:A
B:B
热裂纹通常产生在焊接接头的热影响区,有时也在焊接接头金属中出现。
磁性材料加热导居里点温度时将变成()
A:抗磁性的
B:磁性强的
C:顺磁性的
D:磁畴规则排列
以下哪些缺陷可用渗透探伤法发现?()
A:开口于表面的裂纹
B:近表面裂纹
C:内部夹杂
D:层间未熔合
用工件底面作为探伤灵敏度校正基准时,下列哪种说法正确()
A:可以不考虑探伤面的声能损失补偿
B:可以不考虑材质衰减的补偿
C:可以不使用校正试块
D:以上都是
线圈中磁场最强处在()
A:线圈内缘;
B:线圈外缘;
C:线圈中心;
D:线圈端头
200kV时,铜相对钢的等效系数为1.4,对15mm铜板照相,需采用多厚钢的曝光量()
A:11mm
B:20mm
C:13.6mm
D:30mm
放射性材料原子衰变一半所需要地时间叫做()
A:反平方定律
B:一居里
C:一个半衰期
D:暴光时间
磁粉探伤中,周向磁化可采用直接通电法、()法和支杆法()。对零件所施加的磁场强度值,用连续法时比用剩磁法时要()
用于仪器探头系统性能较准和检测较准的试块叫()
A:灵敏度试块
B:对比试块
C:标准试块
D:自然缺陷试块
GB150-2011《压力容器》规定,第Ⅲ类容器的对接焊接接头应进行100%射线或超声波检测。
当管电流一定,管电压降低时,产生的连续X射线的线质有何变化?强度有何变化?波长有何变化?()
A:线质变硬,强度不变,波长变短
B:线质不变,强度增加,波长不变
C:线质变软,强度不变,波长变长
D:线质不变,强度降低,波长变长
下面有关61°反射波说法,()是错误的
A: 产生61°反射时,纵波入射角与横波反射角之和为90°
B: 产生61°反射时,纵波入射角为61°,横波反射角为29°
C: 产生61°反射时,横波入射角为29°, 纵波反射角为61°
D: 产生61°反射时,其声程是恒定
什么是超声场的近场区和近场区长度?为何在实际检测中应尽量避免在近场区内检测定量?
在超声波探伤仪器中,同时激发和校准其他部分工作的电路单元叫做()
A:显示装置或阴级射线管
B:接收器
C:标志电路或范围标志电路
D:同步器或计时器
底片判读时发现有白色不规则条纹,其可能原因是()
A:定影不均匀
B:显影不均匀
C:底片折叠引起
D:静电所产生
影响目视检测质量的因素有哪些?
超声探伤盲区的大小与下列因素中有关的是()
A:发射脉冲宽度
B:放大器阻塞时间
C:探头性能及仪器调整
D:以上都是
X光机的额定管电压为200kVp,该机的最高工作电压为()。
A:200kV峰值
B:200kV平均值
C:200kV有效值
D:200kV均方根值
便携式设备适用于野外作业,适用于大型设备的局部或全部的检测工作,下列哪个不是其特点()。
A:它具有体积小、重量轻
B:携带方便、灵巧
C:可移动性强
D:批量生产零部件的厂家使用
在球面波声场中大平底距声源距离增大1倍回波减弱()
A:6db
B:12db
C:3db
D:9db
旋转磁场的磁场强度大小和方向都随时间而变化,其旋转轨迹一般呈圆或椭圆形
透照厚试件时,放在试件焦点侧表面的金属丝象质计可识别的最小线径为0.5mm,此时散射比为3.5,然后利用铅光阑和屏蔽板使散射比为1.5,再摄一张黑度相同的底片,此时可识别的象质计最小线径为多少?(已知直径d与最小可见度△Dmin在d=0.1~0.5mm范围内有下式之关系:△Dmin=C•d-2/3,C为常数,又假定焦点尺寸影响可忽略,Χ射线机、管电压、管电流、焦距、胶片及增感屏均不变。)
在X光管中,阴极到阳极的电子运动速度取决于()。
A:靶材料的原子序数
B:管电压
C:管电流
D:灯丝电流
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