出自:周口师范学院半导体物理学

[单选题,4分] 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心
[单选题,4分] 对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。 A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比
[单选题,4分] 在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡
[单选题,4分] 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef
[单选题,4分] 公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。 A.迁移时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散时间
[单选题,4分] 在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（） A.在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是
[单选题,4分] 当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p
8[单选题,4分] 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。 A.单调上升 B.单调下降 C.经过一个极小值趋近Ei D.经过一个极大值趋近Ei
[单选题,4分] 有效复合中心的能级必靠近()。 A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级
[单选题,4分] 如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。 A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
[单选题,4分] 本征半导体是指（）的半导体。 A.不含杂质和缺陷 B.电阻率最高 C.电子密度和空穴密度相等 D.电子密度与本征载流子密度相等
[单选题,4分] 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。 A.声学波散射和光学波散射 B.声学波散射和电离杂质散射 C.光学波散射和电离杂质散射 D.光学波散射
13[单选题,4分] 将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心
[单选题,4分] MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。 A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定
[单选题,4分] 砷化稼的能带结构是（）能隙结构。 A.直接 B.间接 C.转换 D.转变
16[单选题,4分] 空穴是()。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子
[单选题,4分] 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
[单选题,4分] 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。 A.上移 B.下移 C.不变 D.左移
19[单选题,4分] 与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。 A.比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C.和绝缘体的相同 D.和绝缘体的不同
20[单选题,4分] 导带底的电子是()。 A.带正电的有效质量为正的粒子 B.带正电的有效质量为负的准粒子 C.带负电的有效质量为正的粒子 D.带负电的有效质量为负的准粒子
21[单选题,4分] 锗的晶格结构和能带结构分别是（）。 A.金刚石型和直接禁带型 B.闪锌矿型和直接禁带型 C.金刚石型和间接禁带型 D.闪锌矿型和间接禁带型
[单选题,4分] 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。 A.1/e B.1/2 C.0 D.2/e
23[单选题,4分] 金属和半导体接触分为：（）。 A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
4[单选题,4分] 砷有效的陷阱中心位置（） A.靠近禁带中央 B.靠近费米能级 C.远离费米能级 D.远离禁带中央
[单选题,4分] 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。 A.变大，变小 B.变小，变大 C.变小，变小 D.变大，变大
[单选题,4分] 载流子在电场作用下的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
[单选题,4分] 自补偿效应的起因是（） A.材料中先已预存在某种深能级杂质 B.材料中先已预存在某种深能级缺陷 C.掺入的杂质是双性杂质 D.掺杂导致某种缺陷产生
[单选题,4分] Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（） A.点阵中的金属原子空位 B.点阵中的原子间隙 C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷 D.一种在禁带中引入受主能级的位错
[单选题,4分] 最有利陷阱作用的能级位置在（）附近 A.EA B.少子 C.EF D.Ei
[单选题,4分] 电子在晶体中的共有化运动时指（） A.电子在晶体中各处出现的几率相同 B.电子在晶体原胞中个点出现的几率相同 C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同 D.电子在晶体各原胞对应点有相同位相
[单选题,4分] 最有效的复合中心能级位置在（）附近。 A.EA B.少子 C.多子 D.Ei
[单选题,4分] 半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于() A.复合机构 B.散射机构 C.禁带宽度 D.晶体结构
[单选题,4分] 在n型半导体中（） A.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D.没有电子
[单选题,4分] PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（） A.雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿 B.高压击穿、跃迁击穿、热电击穿 C.雪崩击穿、隧道击穿、自发击穿 D.隧道击穿、自发击穿、跃迁击穿
10[单选题,4分] 当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。 A.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽 B.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽 C.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄 D.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
[单选题,4分] 在P型半导体中（） A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子 B.空穴的数量略多于电子 C.空穴是多数载流子，电子是少数载流子 D.没有电子
[单选题,4分] 一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。 A.没有被电子占据，电子所占据，1/2 B.电子所占据，没有被电子占据，1/2 C.没有被电子占据，电子所占据，1/3 D.电子所占据，没有被电子占据，1/3
[单选题,4分] 下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。 A.含硼1×1015cm-3的硅 B.含磷1×1016cm-3的硅 C.含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅 D.纯净的硅
[单选题,4分] 重空穴是指（） A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D.自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
[单选题,4分] 同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
[单选题,4分] 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。 A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4
[单选题,4分] 杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。 A.硼或铁 B.铁或铜 C.硼或磷 D.金或银
[单选题,4分] 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。 A.施主 B.复合中心 C.陷阱 D.两性杂质
19[单选题,4分] 一般半导体它的价带顶位于()，而导带底位于()。 A.波矢k=0或附近，波矢k≠0 B.波矢k≠0，波矢k=0或附近 C.波矢k=0，波矢k≠0 D.波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=0
[单选题,4分] 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。 A.比半导体的大 B.比半导体的小 C.与半导体的相等 D.不确定
[单选题,4分] 硅导带结构为（）。 A.位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D.位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
[单选题,4分] 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
[单选题,4分] 一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。 A./1/4 B.1/e C.1/e2 D.1/2
[单选题,4分] 一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。 A.杂质电离，本征激发 B.本征激发，杂质电离 C.施主电离，本征激发 D.本征激发，受主电离
5[单选题,4分] 把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。 A.改变禁带宽度 B.产生复合中心 C.产生空穴陷阱 D.产生等电子陷阱
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