出自:河南城建学院模拟电子技术

对 PN 结二极管，当 P 区外接高电位，而 N 区外接低电位，则 PN结为（ ）偏。 A. 反 B. 正 C. 低 D. 高
二极管的正向电流是由多数载流子的（ ）运动形成的 A. 正向 B. 反向 C. 漂移 D. 扩散
稳压管是利用二极管（ ）特性工作的 。 A. 正向 B. 反向击穿 C. 放大 D. 饱和
晶体管工作受温度影响是由于温度升高（ ）增加所致 。 A. β B. α C. 电 流 D. 电压
双极型晶体管(BJT)放大偏置时，应在其发射结加_____电压，在集电结加______电压 。 A. 反 , 正 B. 正 ,正 C. 正, 反
如果放大器出现非线性失真，则输出频率分量一定比输入频率分量（ ） 。 A. 不变 B. 增加 C. 减小 D. 无
FET 依靠（ ）控制漏极电流íＤ的器件。 A. 电 场 B. 电 流 C. 电 阻 D. 功率
集成运放采用有源负载的目的是（ ）。 A. 稳定工作点 B. 提高电压增益 C. 减少温度漂移 D. 增加输人电阻
差动放大器两个输入端的增益电压分别是 2mV 和-2mV，则输入的共模电压是（ ）mV 。 A. 3 B. 0 C. 1 D. -1
差动放大电路的主要特点是 (　 　 )。　 　 　 　 　 　 A. 有效放大差模信号，有力抑制共模信号 B. 既放大差模信号，又放大共模信号 C. 有效放大共模信号，有力抑制差模信号 D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号
NPN管放大偏值电路中，若VC 增加，则 IC（ ）。 A. 几乎不变 B. 略有增加 C. 略有减小 D. 稳定
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，自由电子浓度将大大增加，这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，自由电子浓度将大大增加，这种半导体称为N型半导体 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
杂质半导体分为 N 型和 P 型, 空穴是（ ） 型半导体的少子, 自由电子是（ ）型半导体的多子。 A. N,P C C. P,P D. P,N,
普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为（ ）伏，而Ge 二极管的导通电压典型值 为 （ ）伏 。 A. 0．7、 1 B. 1 、 1 C. 0．7 V、 0．3 V D. 0．3、 0．7
当发射结正偏，集电结反偏，BJT 工作在（ ）区、集电结和发射结都为反偏，BJT 工作在 （ ）区、若发射结和集电结都工作在正偏时，BJT工作在（ ）区 。 A. 放大、 截止、 饱和 B. 截止、饱和 、 放大 C. 饱和、 放大、 截止、 D. 饱和 、 截止、 放大
双极型晶体管(BJT)放大偏置时，应在其发射结加_____电压，在集电结加______电压 。 A. 反 ,正 B. 正 ,正 C. 正,反 D. 反,反
在反馈放大器中， 若开环增益A与反馈系数 B 的符号相同时为 （ ）反馈，相反时（ ）反馈 。 A. 负 , 正 B. 正 ， 负 C. 正, 正 D. 负 , 负
电压求和负反馈使输人电阻（ ），电流求和负反馈使输人电阻（ ） A. 减少,增加 B. 增加, 减少 C. 不变,稳定 D. 稳定, 增加
反馈电路中，电流取样负反馈的输出电阻为（ ）；电压取样负反馈的输出电阻为（ ）。 A. ROf ＝R0／F , R0f＝F R0 B. R0f＝F R0 , ROf ＝R0／F , C. ROf ＝R0／F , ROf＝T R0 D. R0f＝F R0 , ROf＝T R0
所谓“波特图”是指放大器增益的__________曲线 。 A. 增益 B. 放大 C. 反馈 D. 对数
互补输出级采用射极输出方式是为了使 (　 　 )。　 　 　 　 　 A. 电压放大倍数高 B. 输出电流小 C. 输出电阻增大 D. 带负载能力强
具40dB增益的电压放器，其电压放大倍数为（）倍 。 A. 400 B. 40 C. 1000 D. 100
集成运放中间级的作用是（ ）。 A. 提高输人电阻 B. 提高共模抑制比 C. 提高放大倍数 D. 提高输出电阻
乙类推挽功放中，BJT 功放管发射结加一定的正偏电压，这是为了克服（ ） A. 频率失真 B. 功率失真 C. 线性失真 D. 交越失真
对 PN 结二极管，当 P 区外接低电位，而 N 区外接高电位，则 PN 结为（ ）偏。 A. 反 B. 正 C. 低
BJT依靠（ ）控制漏极电流íc的器件。 A. 电 压 B. 电 流 C. 电 阻
在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容（ ） 。 A. 短 路 B. 开 路 C. 不 变
具60dB增益的电压放器，其电压放大倍数为_______________倍 。 A. 400 B. 40 C. 1000
BTJ 放大器电路中，由于（ ）和（ ）的影响，使低频段增益和高频段增益分别是频率的函数。 A. 极间电容、耦合电容 B. 耦合电容、 极间电容 C. 温度漂移、电压增益 D. 温度漂移、 电流增益
差动放大器两个输入端的增益电压分别是 2mV 和-2mV，则输入的共模电压是（ ）mV 。 A. 3 B. 2 C. 0
运算放大器的输入级是（ ） 。 A. 功率放大器 B. 差动放大器 C. 电流放大器
集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (　 　 )。 A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻
一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将（ ） 。 A. 交越失真 B. 线性失真 C. 截止失真
交越失真是（ ）放大器特有的一种非线性失真 。 A. 功率 B. 电压 C. 电 流 D. 阻容
在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍　 　 　 数必须满足(　 　 )才能起振。　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 A. AV = 1 B. AV = 3 C. AV ＜ 3 D. AV ＞3
滞回比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中， 其输出状态将发生( )次跃变。 A. 1 B. 2 C. 3 D. 0
利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是　 　 　 　 　 　 　 (　 　)　 A. f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B. f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C. fs<f<fp时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 D. fs<f<fp时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器
杂质半导体分为 N 型和 P 型, 自由电子是（ ）型半导体的多子, 空穴是（ ）型半导体的多子 。 A. N, P B. N, N C. P, P D. P, N
本征半导体中掺入微量（ ）价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导体称为P型半导体。 A. 5 B. 2 C. 3 D. 6
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