周口师范学院半导体物理学 - 自考题库

出自:周口师范学院半导体物理学

[论述题,5分] 为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低？

[论述题,5分] 影响表面复合的因素有哪些？

[论述题,5分] 为什么在半导体掺杂中，杂质会产生多个能级？

[论述题,5分] 为什么器件正常工作大多在饱和电离区？

[论述题,5分] 元素半导体中的缺陷、原子空位起什么作用？间隙起什么作用？

[论述题,5分] Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构有哪些？

[论述题,5分] 影响固溶体形成的因素有哪些？

[论述题,5分] 阐述深能级杂质的特点。

[论述题,5分] Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质。

[论述题,5分] 半导体中载流子的散射机构有哪几种？

[论述题,5分] 热平衡时载流子浓度由哪些因素决定？

[论述题,5分] 阐述GaAs的应用？

[论述题,5分] 为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作？

[论述题,5分] 非晶半导体中载流子的输运机制是怎样的？

[论述题,5分] 影响迁移率的主要因素有哪些？

[论述题,5分] 相对于Si材料，GaAs具有哪些缺点？

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