多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:单晶硅
D:多晶硅
出自：集成电路制造工艺员

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