出自:集成电路制造工艺员

一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。
A:产生一个离子并导向靶
B:被轰击的原子向硅晶片运动
C:离子把靶上的原子轰出来
D:经过加速电场加速
E:原子在硅晶片表面凝结
请总结电子装配常用的其它配件、零件及材料是什么？
简述插接线工艺文件的编制原则。
真空镀膜室是由（）几部分组成。
A:钟罩
B:蒸气源加热器
C:衬底加热器
D:活动挡板
E:底盘
说明簧片类元件的焊接技巧是什么？
请说明手工贴片元器件的操作方法。
铜与铝相比较，其性质有（）。
A:铜的电阻率比铝小
B:铝的熔点较高
C:铝的抗电迁移能力较弱
D:铜与硅的接触电阻较小
E:铜可以在低温下淀积
溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。
A:鸟嘴
B:空洞
C:裂痕
D:位错
离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。
A:等离子体
B:不等离子体
C:正离子体
D:液电流
Torr是指（）的单位。
A:真空度
B:磁场强度
C:体积
D:温度
一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。
A:恒定总掺杂剂量
B:不恒定总掺杂剂量
C:恒定杂志浓度
D:不恒定杂志浓度
选择和使用固态继电器应注意哪些问题？
静电释放带来的问题有哪些（）。
A:金属电迁移
B:金属尖刺现象
C:芯片产生超过1A的峰值电流
D:栅氧化层击穿
E:吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面
总结使用集成电路的注意事项是什么？
示波管主要由哪几部分组成？对示波管的要求有哪些？
电气测量仪表中，整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。
A:直流
B:工频及较高频率的交流
C:直流及工频交流
D:直流及工频与较高频率的交流
电荷积分仪的基本单元包括（）。
A:I-V转换
B:V-f转换
C:十进制计数电路
D:控制电路
E:红外探测器
选用电源软导线时应该考虑哪些因素？
ICT的作用是什么？
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:单晶硅
D:多晶硅
电子产品生产的主要工艺流程是怎样的？
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
A:Oxide
B:Nitride
C:Silicide
D:Polycide
菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。
A:传输率
B:载流子浓度
C:扩散梯度
D:扩散系数
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。
A:离子注入
B:刻蚀
C:扩散
D:光刻
电容器有哪些技术参数？哪种电容器的稳定性较好？
试写出常用典型SMC电阻器的主要技术参数。
在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
A:填隙扩散
B:杂质扩散
C:推挤扩散
D:自扩散
请说明集成电路DIP封装结构具有哪些特点？有哪些结构形式？
如果固体中的原子排列情况是紊乱的，就称之为（）。
A:单晶靶
B:超晶靶
C:多晶靶
D:非晶靶
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A:氮化硅
B:二氧化硅
C:光刻胶
D:多晶硅
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