出自:半导体芯片制造工

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）（）（）隔离等三种基本方法.
金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。
A:塑料
B:玻璃
C:金属
厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表面自由能也就越高，对烧结越有利。（）
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：（）、和（）、（）、（）。
分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
如果热压楔形键合小于引线直径1．5倍或大于3．0倍，其长度小于1．5倍或大于6．0倍，判引线键合（）。
晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（）同类电极系统的楔刀焊接。
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（）
分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A:扩散层质量
B:设计
C:光刻
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
微波混合集成电路是指工作频率从300MHz～100kMHz的混合集成电路，可分为分布参数微波混合集成电路和（）微波混合集成电路两类。
集成电路封装有哪些作用？
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。（）
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于哪种应力产生的？请在图上标出应力的方向。如果要让上面的结构材料变得平整，要怎么做？
离子源是产生离子的装置。（）
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？
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